Нацпроект «Наука»: молодых ученых станет больше
К 2024 году половина ученых в России будут не старше 39 лет – к такой цели страна будет стремиться в рамках нацпроекта «Наука». Сейчас ученых в ...

Наука: Медики впервые вылечили мышей от диабета первого типа. На очереди люди?
Американские учёные достигли впечатляющих успехов в борьбе с сахарным диабетом первого типа. По сравнению ...

Наука: Древнейший сородич динозавров рассказал о разделении птиц и крокодилов
Международная группа ученых описала наиболее древнего родственника динозавров и птиц. Его анатомические ...

Наука новой эры: 18-20 сентября в Новосибирске пройдет «ТЕХНОПРОМ-2019»
УЧРЕДИТЕЛЬ И РЕДАКЦИЯ: АО ИД «Комсомольская правда». Сетевое издание (сайт) зарегистрировано Роскомнадзором, свидетельство Эл № ФC77-50166 от ...

Наука Дальнего Востока развивает выращивание устриц
Специалисты ТИНРО провели эксперимент по получению спата тихоокеанской устрицы. Работы, проводимые в научно-производственном центре на ...

Конструктивно-Технологические Особенности Субмикронных Моп-Транзисторов
# Ко15270

Конструктивно-Технологические Особенности Субмикронных Моп-Транзисторов

984 р.

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев

Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов…

Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит — на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий

Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов

100